Nand-flash是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非 易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的 存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除 只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存 设置信息，如在电脑的 BIOS（基本输入输出程序）、PDA（ 个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（ 随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。TEL:0731-84117792 E-MAIL:11247931@qq.com
Copyright © 2019-2022 湖南福仁科技有限公司 版权所有
湘ICP备19013665号-5
视频许可证编号：（湘）字第00637号
湘公网安备 43010402000898号
违法及侵权请联系：TEL:0731-84117792 E-MAIL:11247931@qq.com 本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务
