MOS下降沿比上升沿快

IRF540就是很常用的MOS管了，特殊负载如H桥里面的双MOS驱动。有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流...

出现该情况的主要原因是电荷积累与放电的过程。在 MOSFET 关闭之前，漏极与源极之间有一定的电荷积累。当控制信号使得 MOSFET 开始关闭时，大部分电荷会开始从漏极汇集到源极。这个过程中，电荷的积累逐渐减少，而电流通过漏...

如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

在打开上升沿和关断下降沿时，损耗最大。频率越高，损耗越大。

耗尽模式下，负栅极电压使电子耗尽，电流减小，而增强模式则是正栅极吸引电子，电流增加。P沟道与N沟道类似，但电子被替换为空穴。耗尽型MOS管在正偏置时导通，而负偏置则关闭，其VI特性曲线清晰地展示出截止区、欧姆区和饱和...

具体方法如下：1、将示波器的探头分别接在初级MOS管的输入端和输出端。2、调节示波器的水平扫描和垂直扫描，使波形能够在示波器屏幕上清晰显示。3、观察波形上升沿或下降沿是否同步，如果同步则初级MOS管工作正常，如果不同步则...

MOS管开通瞬间,由于导通内阻极小,故会产生很大的di/dt,即类似尖峰脉冲.对下桥产生干扰.一般的解决方法是增加续流二极管和高频电容以提供尖峰电流世放回路.再就是在电路设计上加强抗干扰能力 ...

三极管都已有它自己的开关频率特性，这个特性外界改变不了，在管子符合这个电路的频率后，我们只能提高管子的开关瞬时性，即提高开与关的速度，缩短波形上升沿和下降沿的时间，不让管子在开与关转换时进入放大状态，提高效率，...

开关时间是NS级的，频率2MHZ下的各种开关应用都可以应付。但是，MOS的价格高，耐压低，有开关寿命。MOS的输入相当于一个电容负载，这个电容是影响MOS开关速度的主要因素，所以要求驱动电路必须能提供足够大的充放电能力。

现在拿100KHZ的频率来说，一个SCL周期为10uS，这其中包括一个上升沿，一个下降沿，一个高电平时间和一个低电平的时间。如果SCL的上升沿要15uS，那么波形都还么有上升到1就开始向0变化了，这样连I2C的起始条件都不能达到...